Baixe TRANSISTOR FET - LABORATORIO e outras Notas de estudo em PDF para Engenharia de Áudio, somente na Docsity! ICET – INSTITUTO DE CIÊNCIAS EXATAS E TECNOLOGIA ENGENHARIA DE CONTROLE E AUTOMAÇÃO LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA ANALÓGICA E DIGITAL TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO (FET) EXPERIÊNCIA 1 CURVA CARACTERISTICA EXPERIÊNCIA 2 AUTO-POLARIZAÇÃO E GANHO EXPERIÊNCIA 3 CARACTERISTICAS DO TRANSISTOR EXPERIÊNCIA 1 4. QUESTÕES PARA O RELATÓRIO R1 ITEM 1 - Através dos dados medidos em laboratório de Idss e da tensão Vp obtenha a curva característica teórica do FET BF245 (Equação de Schokley). ITEM 2 – Faça no computador o gráfico da curva característica teórica do FET BF245 com a corrente de dreno do FET Id (eixo y) e a tensão Vgs (eixo x). ITEM 3 – Plotar nesse mesmo gráfico a curva obtida experimentalmente. ITEM 4 –Compare a curva experimental com a curva teórica. ITEM 5 – Compare a curva experimental coma curva fornecida pelo fabricante (ver anexos). BASE DE DADOS UTILIZADA Vgs (V) Id (mA) Schokley Id (mA) Multisim Id (mA) Fabricante Idss (mA) Multisim 0,00 4,084 4,084 4,000 4,084 0,20 3,308 3,213 3,400 4,084 0,40 2,614 2,444 2,800 4,084 0,60 2,001 1,778 2,200 4,084 0,80 1,470 1,213 1,450 4,084 1,00 1,021 0,755 1,000 4,084 1,20 0,653 0,405 0,600 4,084 1,40 0,368 0,158 0,380 4,084 1,60 0,163 0,027 0,200 4,084 1,80 0,041 0,000 0,050 4,084 2,00 0,000 0,000 0,000 4,084 Equação de Schokley Id = CURVAS SOBREPOSTAS Fica evidente que o comportamento observado experimentalmente, tanto na simulação quanto na dedução por fórmula, é similar ao comportamento apontado pela documentação do fabricante. Simulação no software MULTISIM ® EXPERIÊNCIA 3 4. QUESTÕES PARA O RELATÓRIO R1 Item 1: Faça no computador as curvas de Ic (Corrente de Coletor) versus Vce (Tensão Coletor-Emissor) para Vbb=1.0V, Vbb=1.5V, Vbb=2.0V, Vbb=2.5V, Vbb=3.0V semelhantes ao mostrado acima no mesmo gráfico. Considere o eixo y os valores de Ic e no eixo X os valores de Vce. Item 2: CFaça no computador as curvas de Ib (Corrente de Base) versus Vbe (Tensão Base-Emissor) para os valores de Vbb descritos na tabela. Item 3: Compare os gráficos de Ic x Vce com os gráficos fornecidos pelo fabricante do transistor BC337. Item 4: Compare os gráficos obtidos de Ic x Vbe com o gráfico do fabricante do transistor BC337. Item 5: Com base no gráfico 1 defina as regiões de saturação e de corte e saturação do transistor. BASE DE DADOS UTILIZADA Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) Vbb (V) VBE (V) 1,0 0,664 1,5 0,679 2,0 0,681 2,5 0,682 3,0 0,684 VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) VCC (V) VCE (V) 1,0 0,489 1,0 0,127 1,0 0,098 1,0 0,084 1,0 0,076 2,0 1,484 2,0 0,758 2,0 0,175 2,0 0,125 2,0 0,108 3,0 2,479 3,0 1,746 3,0 1,015 3,0 0,302 3,0 0,148 4,0 3,475 4,0 2,734 4,0 1,999 4,0 1,274 4,0 0,570 5,0 4,470 5,0 3,723 5,0 2,978 5,0 2,249 5,0 1,538 6,0 5,465 6,0 4,711 6,0 3,959 6,0 3,224 6,0 2,506 7,0 6,460 7,0 5,699 7,0 4,941 7,0 4,198 7,0 3,474 8,0 7,450 8,0 6,687 8,0 5,922 8,0 5,173 8,0 4,492 9,0 8,450 9,0 7,676 9,0 6,904 9,0 6,147 9,0 5,410 10,0 9,445 10,0 8,664 10,0 7,885 10,0 7,122 10,0 6,380 VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA) VBE (V) IB (mA) 0,664 0,034 0,679 0,082 0,681 0,132 0,682 0,182 0,684 0,232 VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA) VCE (V) IC (mA) 0,489 5,120 0,127 8,734 0,098 9,025 0,084 9,157 0,076 9,241 1,484 5,170 0,758 12,000 0,175 18,000 0,125 19,000 0,108 19,000 2,479 5,220 1,746 13,000 1,015 20,000 0,302 27,000 0,148 29,000 3,475 5,270 2,734 13,000 1,999 20,000 1,274 27,000 0,570 34,000 4,470 5,320 3,723 13,000 2,978 20,000 2,249 28,000 1,538 35,000 5,465 5,370 4,711 13,000 3,959 20,000 3,224 28,000 2,506 35,000 6,460 5,410 5,699 13,000 4,941 21,000 4,198 28,000 3,474 35,000 7,450 5,460 6,687 13,000 5,922 21,000 5,173 28,000 4,492 36,000 8,450 5,510 7,676 13,000 6,904 21,000 6,147 29,000 5,410 36,000 9,445 5,560 8,664 13,000 7,885 21,000 7,122 29,000 6,380 36,000 Concluímos que as curvas obtidas em experimento são muito próximas às teoricas fornecidas. Comprova-se pelo método experimental o comportamento do componente bem próximo ao referenciado em datasheet do fabricante. Podemos identificar uma diferença considerável em relação ao gráfico fornecido pelo fabricante, isso se deve a variações entre os valores experimentais e teóricos. SIMULAÇÃO NO SOFTWARE MULTISIM ®